你可以看图（或者想象一下），Nand的封装（Package）里头，是一层套一层的结构：最底下是die，die里头有plane，plane又分成好多block，block再拆成page。图上那些小绿块儿就是page，多个page凑成一个灰块儿叫block，多个block组成一个粉块儿叫plane，多个plane拼成一个黄块儿叫die，最后几个die一起封装成蓝块儿的package。
如果拆开一个SSD或者存储卡，你就能看到里头有好多这种Package。每个Package里可能藏着1个、2个甚至4个die。这个die挺重要，它相当于一个能独立干活的小单元——可以自己接命令、自己汇报状态，有时候也被叫做LUN（逻辑单元）。它就是从晶圆上切下来的一片完整裸片。
每个die里一般有1个或2个plane，这两个plane在某些时候可以一起干活，搞点并行操作。
plane下面就是block了，这个需要划重点：block是擦除的最小单位，别记混了。
block再往下拆，就是page。page是写入的最小单位，同时也是读取的最小单位。咱们上一期说过，page对应着好多条wordline，每条wordline又连着一串浮栅晶体管。所以，每次读写数据，最小就是动一个page，大小一般在8到16KB之间。而擦除呢，一擦就得擦一整个block，通常是4到8MB。
这里就引出一个关键逻辑：一个block如果想重新写入数据，必须先擦干净。也就是说，这个block里所有page都得变成无效才行。
刚出厂的闪存设备，所有page都是空的。你最想干的肯定就是往里写点东西，这在技术上叫Program操作，是按page写的。写完了也能读出来，Read操作也是按page读。
问题来了：如果你想改一下刚写进去的数据，怎么办？Nand这玩意儿没有“修改”或“更新”这种操作，也不能撤销或回退。想改？只能擦除。一擦除，就得把整个block里的page全清掉。如果这个block里还有其他page存着有效数据，那要么先把它们挪到别处去，要么就先忍着不改。
其实第二种方案——先忍着不改——反而更聪明。因为Nand每个block的擦写次数是有限的，术语叫P/E周期（Program/Erase Cycle）。要是每次想改一页数据都得把整个block擦一遍，那你的闪存用不了多久就报废了。
所以聪明的办法是：把原来那页（旧数据）打个标，记成“无效”，然后把新数据写到另一个空的page里。这样一来，老数据虽然还在，但已经没人认了。同时，系统需要一种机制来跟踪：哪些page是有效的，哪些是无效的；每次访问数据时，也得自动跳到新page那里去。等到无效的page攒够了，再挑个时候统一回收清理。
这套机制，就叫闪存转换层（Flash Translation Layer，简称FTL）。它不光管这些，还有很多别的活儿。咱们后面再慢慢聊——可以说，不同牌子闪存的差距，很大程度上就藏在这FTL里头。
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