2026-10-22T22:00:00+08:00 https://c3ll.top/ 陈磊磊 https://c3ll.top/post/ssd-2026-10-22/ 2026-10-22T22:00:00+08:00

全文约 2200 字｜阅读约 9 分钟 上一篇写 Erase 的时候，我们一直在看电子怎么从 Floating Gate 里出去。 那反过来，Program 又是怎么把电子送进去的？ 我以前对 Program 的理解其实很简单：Wordline 上加一个很高的电压，电子穿过 Tunnel Oxide 进入 Floating Gate，Vth 升高，结束。 这句话不能算错。 但后来再去看真正的 Program Algorithm，我才发现

https://c3ll.top/post/ssd-2026-10-15/ 2026-10-15T20:00:00+08:00

  全文约 2400 字｜阅读约 9 分钟 这个问题我其实很早就想写了。 去年项目里有一个 Security Erase 测试。这个测试会把 NAND 上的 Block 真正做一遍物理 Erase，本来是很正常的操作，结果测试脚本不知道怎么就连续跑了 12000 多次。 同事拿着结果来找我的时候，我和旁边的小伙伴都愣了一下。 某个 Block 的 Erase Count 已经 12000+ 了，而这款 NAND 的 Spec

https://c3ll.top/post/ssd-2026-10-11/ 2026-10-11T22:41:00+08:00

  全文约 2300 字｜阅读约 10 分钟 前面我们已经讲过 NMOS，这篇不再从头介绍，只保留一个结论：Gate 通过电场控制 Channel 是否形成。对一只普通 NMOS 来说，Gate 加正电压后，会吸引电子到 Silicon 表面。电子足够多时，Source 和 Drain 之间形成 n 型 Channel。让 Channel 刚好开始形成时，需要的 Gate 电压，就是  Vth，Threshold V

https://c3ll.top/post/ssd-2026-10-07/ 2026-10-07T15:25:00+08:00

  最近有读者问到一个看起来很基础的问题： NMOS 为什么叫 NMOS？PMOS 又为什么叫 PMOS？ 继续往下问，很快就会冒出更多问题。NMOS 里面为什么是电子导电？为什么它的衬底反而是 P 型？n+ Source 里的 n+ 又是什么意思？P 型里面的空穴到底是什么？Gate 和 Silicon 中间明明隔着一层绝缘的 SiO₂，为什么 Gate 加一个正电压以后，电子就会跑到 Channel 附近？ 这些问题看起来

https://c3ll.top/post/ssd-2026-09-25/ 2026-09-25T22:56:00+08:00

  上一篇我们聊了 NAND 的擦写寿命。 如果继续往下追，其实还有一个很基础的问题： Program 的时候，电子被“打进去”以后，到底存在哪里？ 在过去很长时间里，答案是  Floating Gate，FG，浮栅 。 后来，另一种叫作  Charge Trap，CT，电荷俘获  的结构逐渐出现，并在今天的 3D NAND 中被大量采用。 两种结构最终做的事情其实没有变： 保存电荷。 改变 Ce

https://c3ll.top/post/ssd-2026-09-18/ 2026-09-18T19:39:00+08:00

  如果你看过 NAND Datasheet，应该见过一个很常见的指标： P/E Cycle 。 P/E，就是 Program / Erase，也就是编程和擦除。 比如一颗 NAND 标称几千次 P/E Cycle，我们很容易把它理解成一种“使用次数”：前面还能正常擦写，等次数用完以后，Cell 就坏了。 但 NAND 的 Endurance，也就是擦写寿命，并不是这样的倒计时。 从第一次 Program / Erase 开始

https://c3ll.top/post/ssd-2026-09-09/ 2026-09-09T20:37:00+08:00

  本文主要介绍 Data Retention（数据保持）原理，解释 NAND 断电后为什么仍可能发生数据错误。至于数据究竟能保存多久，以及相关的实际测试结果，本文暂不展开，后续会考虑专门写一篇文章讨论。 《三体》中有一段我一直印象很深。当人类开始认真思考一个问题—— 如果有一天人类文明消失了，我们留下的信息还能保存多久？ 为了让后来的文明仍然有机会知道人类曾经存在过，他们开始研究各种信

https://c3ll.top/post/ssd-2026-09-03/ 2026-09-03T22:34:00+08:00

  很多人第一次接触 NAND 的时候，会觉得一件事很自然：Program 会改数据，Erase 会改数据，但 Read 只是把数据读出来，应该不会碰到数据本身。可真实情况并不是这样。NAND 在被反复读取之后，即使没有重新 Program，一些 Cell 的阈值电压也可能慢慢发生变化。这个现象，就是  Read Disturb 。 这个话题之所以值得单独讲，是因为它很反直觉。我们明明只是“读”数据，却可能在长期反复

https://c3ll.top/post/ssd-2026-08-30/ 2026-08-30T21:36:00+08:00

  前面写了很多 NAND 的内容，从 Cell、Program、Erase，到 Read、Read Retry、Multi Plane，这些内容大多是在讲 NAND 内部发生了什么。 但如果把视角往外拉一步，会遇到一个更基础的问题： SSD Controller 到底是怎么和 NAND 通信的？ Controller 想让 NAND 执行 Read、Program 或 Erase，需要把 Command 发给 NAND；想访

https://c3ll.top/post/ssd-2026-08-22/ 2026-08-22T16:57:00+08:00

  一个SSD Firmware工程师的真实排查：为什么我最后怀疑到了SSD内部？ 【SSD科普系列 35】 电脑放久了不用，重新开机以后突然变得特别卡——你的第一反应可能是内存不足、系统负载太高，甚至怀疑这台机器是不是已经出了问题。 但作为一个SSD固件工程师，我想带你看看另一种可能： 卡顿的根源不一定在操作系统，也可能在你那块很久没通电的SSD内部——它可能正在后台忙着"维护"自己的数据。 前两天，同事找到了一台很久没有开